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NTMS4107N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
T J = 25 ° C
10
6000
C iss
8
5000
4000
3000
6
4
QT
V GS
2000
Q GS
Q GD
1000
0
C rss
C oss
2
0
I D = 16 A
T J = 25 ° C
0 5 10
15 20 25
0
10
20
30
40
50 60 70 80
90
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?To?Source and
Drain?To?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(off)
t f
t d(on)
t r
8
6
4
2
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
1000
100
10
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
1
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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